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机译:使用字线电压偏移加速sRam单元写入余量的评估方法
Makino, Hiroshi; Nakata, Shunji; Suzuki, Hirotsugu; Morimura, Hiroki; Mutoh, Shin'ichiro; Miyama, Masayuki; Yoshimura, Tsutomu; Iwade, Shuhei; Matsuda, Yoshio;
机译:字线电压加速对SRAM单元写裕度的改进评估方法
机译:一种新颖的单端9T FinFET亚阈值SRAM单元,具有高工作裕度和低写入功率,可用于低压操作
机译:利用字线电压偏移的SRAM单元写裕度加速评估方法
机译:研究使用无功功率储备进行在线电压稳定裕度监控的新方法
机译:一种基于三维对比度增强超声的新型单态融合成像方法用于肝细胞癌微波消融后消融余量的评价
机译:使用字线电压偏移的sRam单元写入裕度的加速评估方法
机译:通过通过相应的位线控制反相器的电源电压,可以改善SRAM单元的写裕度
机译:静态随机存取存储器,包括负电压电平转换器,可改善选择存储单元的传感容限和写入容限
机译:提高sram单元写入裕度的方法
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